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不同偏置条件下Si—SiO2界面电离辐射的XPS研究

引用本文：	刘昶时,吾勤之.不同偏置条件下Si—SiO2界面电离辐射的XPS研究[J].微电子学与计算机,1989,6(12):5-7.

作者姓名：	刘昶时吾勤之

摘要：
关键词：	MOS器件 Si－SiO3界面电离辐射 XPS
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