| 非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应 |
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| 引用本文： | 邹林儿,陈抱雪,杜丽萍,刘小青,浜中广见,矶守. 非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应[J]. 半导体学报, 2007, 28(8): 1307-1311 |
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| 作者姓名： | 邹林儿 陈抱雪 杜丽萍 刘小青 浜中广见 矶守 |
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| 作者单位： | 南昌大学物理系，南昌 330031;上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海 200093;上海理工大学光学与电子信息工程学院,上海 200093;南昌大学物理系，南昌 330031;日本法政大学材料化学系，日本 184-8584;日本东京农工大学化工系，日本 184-8588 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.
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| 关 键 词： | 硫系非晶态半导体 As2S8薄膜波导 热处理效应 光传输 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）08-1307-05 |
| 收稿时间： | 2007-02-02 |
| 修稿时间： | 2007-03-20 |
Effect of Annealing Temperature on Amorphous Semiconductor As2S8 Film Waveguide |
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| Zou Liner,Chen Baoxue,Du Liping,Liu Xiaoqing,Hamanaka H and Iso M. Effect of Annealing Temperature on Amorphous Semiconductor As2S8 Film Waveguide[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(8): 1307-1311 |
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| Authors: | Zou Liner Chen Baoxue Du Liping Liu Xiaoqing Hamanaka H Iso M |
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| Affiliation: | Department of Physics,Nanchang University,Nanchang 330031,China;College of Optics and Electronic Information Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China;College of Optics and Electronic Information Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China;Department of Physics,Nanchang University,Nanchang 330031,China;Department of Material Chemical Engineering,Tokyo Hosei University,Tokyo 184-8584,Japan;Department of Chemical Engineering,Tokyo University of Agriculture and Technology,Tokyo 184-8588,Japan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous chalcogenide semiconductor As2S8 film waveguide thermal machining effect optical transmission |
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