| ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展 |
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| 引用本文： | 赵铧 李韦 刘高斌 熊稳 王伟 郭富胜. ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展[J]. 材料导报, 2007, 21(F11): 105-109,113 |
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| 作者姓名： | 赵铧 李韦 刘高斌 熊稳 王伟 郭富胜 |
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| 作者单位： | 重庆大学数理学院物理系和凝聚态物理研究所,重庆400044 |
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| 基金项目： | 重庆大学凝聚态物理重点项日 |
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| 摘 要： | 作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外，ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来，并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节，有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状，分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。
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| 关 键 词： | 氧化锌 纳米材料 稀磁半导体（DMS） |
Recent Research Progress in Nano ZnO and Dopped ZnO Materials |
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| ZHAO Hua, LI Wei, LIU Gaobin, XIONG Wen, WANG Wei, GUO Fusheng. Recent Research Progress in Nano ZnO and Dopped ZnO Materials[J]. Materials Review, 2007, 21(F11): 105-109,113 |
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| Authors: | ZHAO Hua LI Wei LIU Gaobin XIONG Wen WANG Wei GUO Fusheng |
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