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| 直流磁控溅射中氩气压力对WSi／GaAs系统的影响 | |
| 引用本文： | 宫俊,孙铁囤.直流磁控溅射中氩气压力对WSi／GaAs系统的影响[J].半导体技术,1995(1):35-38. |
| 作者姓名： | 宫俊 孙铁囤 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所，石家庄电子工业部第十三研究所 |
| 摘 要： | 以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微显像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３－－１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有 |
| 关 键 词： | 溅射 硅化钨薄膜 氩气压力 直流磁控溅射 |
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