| C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件 |
| |
| 引用本文： | 陈晓娟,刘新宇,和致经,刘,建,吴德馨.C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件[J].半导体学报,2005,26(9):1804-1807. |
| |
| 作者姓名： | 陈晓娟 刘新宇 和致经 刘 建 吴德馨 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 北京100029
(陈晓娟，刘新宇，和致经，刘建)，中国科学院微电子研究所 北京100029(吴德馨) |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903)，中国科学院创新(批准号:KGCX2SW107)资助项目~~ |
| |
| 摘 要： | 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10×75μm×0.8μm AlGaN/GaN微波器件，采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层，直流特性从0.56A/mm上升到0.66A/mm，跨导从158mS/mm增为170mS/mm，截止频率由10.7GHz增大到13.7GHz，同时在4GHz下，Vds＝25V, Vgs＝-2.5V，输出功率由0.90W增至1.79W，输出功率密度达到2.4W/mm. 钝化有效地改善了器件的输出特性，减小和消除了表面寄生栅对器件的影响.
|
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 微波输出功率 Si3N4 钝化 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)09-1804-04 |
| 修稿时间： | 2005年1月11日 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
