| 脉冲注入中靶温对金属间化合物生成的影响 |
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| 引用本文： | 张通和 陈俊. 脉冲注入中靶温对金属间化合物生成的影响[J]. 核技术, 1994, 17(1): 7-12 |
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| 作者姓名： | 张通和 陈俊 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室项目，863高科技项目资助 |
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| 摘 要： | 研究了在钢和Ａｌ中脉冲注入Ｔｉ和Ｍｏ的条件下金属间化合物形成的规律及生长机理，给出了金属间化合物生长与靶温的关系，得出的实验结果与计算相符合。与电镜中退火原位观察结果比较发现，注入过程中金属间化合物生长温度（４００℃）比退火中金属间化合物生长温度（６００℃）低得多，说明注入过程中空位流和间隙原子流能促进金属间化合物的生长。通过脉冲注入已得到十余种金属化合物和金属间化合物，这些化合物的出现提高了注入
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| 关 键 词： | 离子注入 金属间化合物 温度 |
Influence of target temperature on metallic compound growth for puled ion implantation |
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| Zhang Tonghe, Chen Jun, Yang Jianhua, Zhang Huixing, Ding Xiaoji. Influence of target temperature on metallic compound growth for puled ion implantation[J]. Nuclear Techniques, 1994, 17(1): 7-12 |
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| Authors: | Zhang Tonghe Chen Jun Yang Jianhua Zhang Huixing Ding Xiaoji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Pulsed ion implantation Metallic compounds Growth model Temperature rise Hardening |
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