| 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 |
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| 引用本文： | 孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨. 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. 半导体学报, 2005, 26(1): 143-147 |
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| 作者姓名： | 孙涛 陈文桥 梁晋穗 陈兴国 胡晓宁 李言谨 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083;中国科学院上海技术物理所,功能材料器件中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe+ZnS）钝化的两种光伏探测器，对器件的性能进行了测试，发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算，分析了器件的暗电流机制，发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响，发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷，而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因．
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| 关 键 词： | HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0143-05 |
| 修稿时间： | 2003-12-23 |
Dark Current Mechanism of HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by Different Structure |
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| Sun Tao,Chen Wenqiao,Liang Jinsui,Chen Xingguo,Hu Xiaoning,and Li Yanjin. Dark Current Mechanism of HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by Different Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 143-147 |
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| Authors: | Sun Tao Chen Wenqiao Liang Jinsui Chen Xingguo Hu Xiaoning and Li Yanjin |
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| Abstract: | The HgCdTe photovoltaic detectors passivated by single ZnS layer and dual (CdTe ZnS) layers are fabricated on the same wafer.The fabricated devices are characterized by measurements of the diode dark I-V characteristic.The dual-layer passivated diodes show higher performing compared to the single layer passivated diodes,and modeling of diode dark current mechanisms indicate that the performance of the diodes passivated by single ZnS is strongly affected by tunneling current related to the surface defects,which are generated by the technology of passivation.And the result is also supported by the analysis of X-ray reciprocal space map. |
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| Keywords: | HgCdTe |
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