首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

高压氧化Ge_xSi_(1-x)/si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换
摘    要:高压氧化Ge_xSi_(1-x)/si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换=TransitionbetweenGesegregationandtrappingduringhigh-pressureoxldationofGe_xSi_(1-x)/Si[刊.英...

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号