| AgNbO3-BaTiO3陶瓷在准同型相界附近的电学性能研究 |
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| 引用本文： | 戴叶婧 张孝文. AgNbO3-BaTiO3陶瓷在准同型相界附近的电学性能研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2007, 36(A01): 415-417 |
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| 作者姓名： | 戴叶婧 张孝文 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（50432030）资助 |
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| 摘 要： | 最近的理论工作预期，可能存在一种新的无铅压电陶瓷xAgNbO3-（1-x）BaTiO3，认为在含12％AgNbO3的组分处存在准同型相界（MPB），具有良好的性能，并有较高的居里点。但是尚未见到有关这方面的实验报道。通过传统的固相反应法合成xAgNbO3-（1-x）BaTiO3陶瓷，其中取x等于0．08到0．16。首先在950℃下预烧3h合成AgNbO3-BaTiO3，然后将粉末球磨、压片后，在1150℃下进一步烧结得到样品。通过X射线衍射技术（XRD），研究了xAgNbO3-（1-x）BaTiO3的相结构，并对这一体系的电学性质进行了测试。发现x=0．12附近存在着MPB，且介电常数达到1000左右，剩余极化强度达到3．5μC／cm^2，矫顽场反为800V／mm。xAgNbO3-（1-x）BaTiO3作为一种可供选择的无铅压电陶瓷值得进一步的研究和开发。
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| 关 键 词： | 铌酸银 钛酸钡 无铅陶瓷 准同型相界 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S1-0415-03 |
| 修稿时间： | 2007-02-11 |
Electrical Properties of AgNbO3-BaTiO3 System Near Morphotropic Phase Boundary |
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| Dai Yejing, Zhang Xiaowen. Electrical Properties of AgNbO3-BaTiO3 System Near Morphotropic Phase Boundary[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2007, 36(A01): 415-417 |
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| Authors: | Dai Yejing Zhang Xiaowen |
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| Affiliation: | The State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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