|
|||||
|
|
| 双AIN插入层法在Si图形衬底上进行AIGaN/GaN HEMT的MOCVD生长 | |
| 引用本文： | 王勇,余乃林,王丛舜,刘纪美.双AIN插入层法在Si图形衬底上进行AIGaN/GaN HEMT的MOCVD生长[J].长春理工大学学报,2011,34(4). |
| 作者姓名： | 王勇 余乃林 王丛舜 刘纪美 |
| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心,香港;香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心,香港 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 AlGaN/GaN高迁移率晶体管 Si图形衬底 双A1N插入层 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |