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| 锆掺杂磷灰石型硅酸镧制备及其电导增强机理 | |
| 引用本文： | 王棋昌,黄志良.锆掺杂磷灰石型硅酸镧制备及其电导增强机理[J].功能材料,2023(12):12183-12189. |
| 作者姓名： | 王棋昌 黄志良 |
| 作者单位： | 武汉工程大学,材料科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(51374155)； |
| 摘 要： | 采用尿素-硝酸盐燃烧法在600℃下制备了Zr掺杂磷灰石型硅酸镧La9.33Si6-xZrxO6(x=0.00、0.05、0.10、0.15、0.20)(LSZO)。根据线收缩率、致密度和SEM形貌图确定了最佳烧结温度为1550℃;运用XPS和IR等表征手段确定了掺杂位点，Zr4+进入晶格内部取代部分Si4+形成Si(Zr)O4]四面体；EIS测试表明：Zr掺杂都能提高LSO的电导率，未掺杂的La9.33Si6O26在600℃下的电导率为3.31×10-5 S·cm-1,La9.33Si5.90Zr0.10O26有着最佳电导，性能(600℃测试温度下电导率到达8.79×10-4 S·cm-1)活化... |
| 关 键 词： | 硅酸镧 电导率 Zr掺杂 La9.33Si6O26 |