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| 辐射探测器用高纯锗单晶技术研究 | |
| 引用本文： | 刘锋,耿博耘,韩焕鹏.辐射探测器用高纯锗单晶技术研究[J].电子工业专用设备,2012,41(5):27-31. |
| 作者姓名： | 刘锋 耿博耘 韩焕鹏 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 高纯锗单晶可以用作制备X射线辐射探测器。介绍了锗辐射探测器的研究现状与结构,论述了辐射探测器对高纯锗单晶的净杂质浓度、位错方面的要求。介绍了目前高纯锗生长主要的提纯方法和单晶生长方法,论述了以上这两种方法的主要技术特点。 |
| 关 键 词： | 高纯锗单晶 辐射探测器 锗提纯 单晶生长 |
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