| 图案化厚膜多孔硅制备与表征 |
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| 引用本文： | 黎学明,江梅,杨文静,郁卫飞,黄辉.图案化厚膜多孔硅制备与表征[J].功能材料,2008,39(4):586-589. |
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| 作者姓名： | 黎学明 江梅 杨文静 郁卫飞 黄辉 |
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| 作者单位： | 1. 重庆大学,化学化工学院,重庆,400030
2. 中国工程物理研究院,化工材料研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 图案化多孔硅是微电子、微机械、光电子器件的重要组成部分.实验以含Si3N4保护层的光刻单晶硅片为基底,采用电化学阳极氧化法制备图案化厚膜多孔硅,分析阳极氧化前后Si3N4保护层表面形貌变化特征和光刻尺寸对图案化多孔硅宽度、膜层厚度的影响规律,表征图案化多孔硅的结构、组成与发光性能.结果表明,氧化前Si3N4保护层局部区域出现枝晶,阳极氧化后形成不均匀孔状结构;制备的图案化多孔硅膜厚62～83μm,其横向扩展程度和膜层厚度均随光刻尺寸增大呈减小趋势;图案化多孔硅微结构含大量不规则裂纹和硅柱,新鲜制备的表面含Si-Hx键,其光致发光峰值波长650nm.
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| 关 键 词： | 图案化多孔硅 纳米结构材料 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)04-0586-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月21日 |
Preparation and characterization of thick patterned porous silicon layers |
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| LI Xue-ming,JIANG Mei,YANG Wen-jing,YU Wei-fei,HUANG Hui.Preparation and characterization of thick patterned porous silicon layers[J].Journal of Functional Materials,2008,39(4):586-589. |
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| Authors: | LI Xue-ming JIANG Mei YANG Wen-jing YU Wei-fei HUANG Hui |
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