| α－SiC：H薄膜的热行为研究 |
| |
| 引用本文： | 彭晓峰,孟佳,陈杰锋,宋力昕,胡行方.α－SiC：H薄膜的热行为研究[J].硅酸盐学报,2003,31(7):654-658. |
| |
| 作者姓名： | 彭晓峰 孟佳 陈杰锋 宋力昕 胡行方 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所，特种无机材料研发中心，上海200050 |
| |
| 摘 要： | 采用射频反应溅射工艺沉积了α—SiC:H薄膜。利用微分扫描量热器(DSC)和差热分析仪(DTA)两种热分析方法确定了α—SiC:H薄膜的脱H过程和相转变温度，353．2℃脱Si—H和602．6℃脱C—H，并在1080℃相变结晶。在氨气流保护下的光热炉内进行热处理，Fourier红外光谱(FTIR)和反射谱的研究表明，400℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键，促进薄膜致密，并能提高其在紫外部分的反射率，降低红外区域的反射率。热处理温度超过500℃，容易导致薄膜脱落。适当的退火工艺有利于拓展碳化硅薄膜在空间材料上的应用。
|
| 关 键 词： | 碳化硅 氢 热处理 热分析 光学性能 |
| 文章编号： | 0454-5648(2003)07-0654-05 |
| 修稿时间： | 2002年10月22 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
