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| 国产ZFL018型高压单晶炉及液体复盖直拉法生长GaP单晶 | |
| 引用本文： | 邓志杰,俞斌才,刘锡田.国产ZFL018型高压单晶炉及液体复盖直拉法生长GaP单晶[J].功能材料,1980(4). |
| 作者姓名： | 邓志杰 俞斌才 刘锡田 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究院，冶金部有色金属研究院，冶金部有色金属研究院 |
| 摘 要： | 介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿,采用“O”形密封,运转比较灵活;可用热偶取出信号进行控温等。用液体复盖直拉法(LEC法)在该单晶炉内进行了GaP单晶生长实验,采用电阻加热方式,在我国首次拉制出了适于绿色(黄、红)发光二极管衬底的掺Te的GaP单晶。详细介绍了所用热场配置、掺杂计算,工艺 |
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