短波长和长波长V型槽激光器的光谱特性 |
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引用本文: | G. Arnold,杨成珠.短波长和长波长V型槽激光器的光谱特性[J].半导体光电,1983(1). |
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作者姓名: | G. Arnold 杨成珠 |
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作者单位: | 西德德律风根公司 |
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摘 要: | 具有大谱线宽度均匀增益导引激光器显示了均匀线加宽,目前似乎已成为确定的事实。从这个基本原理出发,我们将要在这里介绍表示谱宽的一个关系式,式中全部参数均易测得。进入单模激射的自发光功率可用类似于文献3中的公式表示如W_(spon)=(h·v)(1/τ_(ph)) (R_(sr)/R_(st))·K (1)式中(hv)表示光子能量,τ_(ph)为光子寿命,R_(sp)、R_(st)分别表示自发辐射和受激辐射系数(它是整个激射模宽的平均值),K是散光
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