| 热中子透射成像转换屏物理设计研究 |
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| 引用本文： | 刘兴宇,于筱雪,李航洲,彭锦秋,杨旭,吴康,白晓厚,王俊润,邓志勇,吴璐,高艮涛,万国荣,刘莉,何鹏,张芸,张宇,姚泽恩,韦峥.热中子透射成像转换屏物理设计研究[J].核技术,2023(11):24-32. |
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| 作者姓名： | 刘兴宇 于筱雪 李航洲 彭锦秋 杨旭 吴康 白晓厚 王俊润 邓志勇 吴璐 高艮涛 万国荣 刘莉 何鹏 张芸 张宇 姚泽恩 韦峥 |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学核科学与技术学院;2. 兰州大学中子应用技术教育部工程研究中心;3. 中国核动力研究设计院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.11875155,No.12075105)；;兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.lzujbky-2022-kb07)资助~~； |
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| 摘 要： | 中子像转换屏是热中子透射成像技术的关键部件，中子像转换屏的参数严重影响空间分辨率和热中子-光子转化效率两方面的特性。采用Geant4程序模拟热中子透射成像的物理过程及透射光子二维图像，建立了基于LiF(ZnS)和LiF(GOS)像转化屏的热中子透射成像模拟模型和Siemens star像指示器模型，利用线扩散函数（Line Spread Function,LSF）计算空间位置分辨率，获得热中子像转化屏厚度与空间位置分辨率、中子-光子转换效率的关系。基于兰州大学紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统参数，推荐选取LiF(GOS)像转化屏的厚度为40μm,LiF(ZnS)像转化屏厚度应选取80μm，热中子透射成像空间分辨率分别可达到45μm和63μm，为基于紧凑型D-D中子源的热中子透射成像系统的研发奠定了技术基础。此外，本工作得到的LiF(GOS)、LiF(ZnS)像转化屏优化参数同样适用于其他热中子成像装置，可为热中子透射成像系统的搭建提供了技术参考。
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| 关 键 词： | 热中子透射成像 像转换屏 空间位置分辨率 光转换效率 |
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