| 线性啁啾相位掩模的研制 |
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| 引用本文： | 刘全,吴建宏,杨卫鹏,方玲玲.线性啁啾相位掩模的研制[J].中国激光,2009,36(3). |
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| 作者姓名： | 刘全 吴建宏 杨卫鹏 方玲玲 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学信息光学工程研究所,江苏,苏州,215006
2. 璨飞光学(苏州)有限公司研发处,江苏,苏州,215000 |
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| 基金项目： | 江苏省高技术研究计划 |
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| 摘 要： | 利用严格耦合波理论分析了线性啁啾相位掩模的衍射特性,得到只有当相位掩模的占宽比在0.37～0.50之间,槽形深度在242～270 nm之间时,才能保证零级衍射效率小于2%.同时正负一级的衍射效率大于35%.在此基础上,利用全息一离子束刻蚀和反应离子柬刻蚀相结合的新方法,制作了中心周期为1000 nm,啁啾率1 nm/mm,有效面积为100 mmX10 mm的线性啁啾相位掩模.发现先用短时间Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模槽形进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,能得到更合适的占宽比,从而确定了刻蚀新工艺.实验测量表明其零级衍射效率小于2%,正负一级衍射效率大于35%,最大非线性系数为1.6%.理论分析表明该相位掩模能够满足制作线性啁啾光纤光栅的需要.
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| 关 键 词： | 衍射与光栅 线性啁啾相位掩模 严格耦合波理论 离子束刻蚀 衍射效率 |
Fabrication of Linearly Chirped Phase Mask |
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| Liu Quan,Wu Jianhong,Yang Weipeng,Fang Lingling.Fabrication of Linearly Chirped Phase Mask[J].Chinese Journal of Lasers,2009,36(3). |
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| Authors: | Liu Quan Wu Jianhong Yang Weipeng Fang Lingling |
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