| 亚微米CMOS电路中VDD-VSS ESD保护结构的设计 |
| |
| 引用本文： | 蒋红利,刘明峰,于宗光. 亚微米CMOS电路中VDD-VSS ESD保护结构的设计[J]. 电子与封装, 2006, 6(4): 28-32,27 |
| |
| 作者姓名： | 蒋红利 刘明峰 于宗光 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏,无锡,214035 |
| |
| 摘 要： | 文章根据一个实际电路中ESD保护结构的设计,引出了一种亚微米CMOS IC中基于RC延迟而设计的VDD-VSS之间直接电压钳位结构,并结合例子中此结构前后的修改优化对该结构进行了详细的仿真分析。进一步比较了两种VDD-VSS电压钳位结构的优劣。最后阐述了亚微米CMOS电路的设计中,全芯片ESD结构的有效设计。
|
| 关 键 词： | 亚微米CMOS IC ESD VDD-VSS电压钳位结构 低阻抗大电流泄放通道 |
| 文章编号： | 1681-1070（2006）04-28-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-26 |
| 修稿时间： | 2005-07-26 |
Analysis and Design of a VDD-VSS Clamp Structure in Sub-micron CMOS Circuit |
| |
| Jiang Hong-li,Liu Ming-feng,Yu Zong-guang. Analysis and Design of a VDD-VSS Clamp Structure in Sub-micron CMOS Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2006, 6(4): 28-32,27 |
| |
| Authors: | Jiang Hong-li Liu Ming-feng Yu Zong-guang |
| |
| Abstract: | Based on an actual circuit ESD protection structure a VDD-VSS voltage clamp structure based on RC delay for sub-micron CMOS IC is bring up in the following, and show a thorough simulate analysis to it incorporating with the fore-and-aft change of the example; Also, the text gives a comparative better or worse result in two VDD-VSS voltage clamp structure under ESD Last with the example, summarize and set-forth simply the available design of whole chip ESD structure in sub-micron CMOS IC |
| |
| Keywords: | ESD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
