| 一种宽带低相噪CMOS LC压控振荡器设计 |
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| 引用本文： | 魏伟伟,于海勋,李卫民,文武.一种宽带低相噪CMOS LC压控振荡器设计[J].微电子学与计算机,2010,27(9). |
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| 作者姓名： | 魏伟伟 于海勋 李卫民 文武 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学,电子信息学院,陕西,西安,710129
2. 北京微电子技术研究所,北京,100076 |
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| 摘 要： | 设计了一种频率可调范围约830MHz全集成CMOS LC压控振荡器.该压控振荡器利用了一种改进的四位二进制加权的开关电容阵列扩大了其调谐范围;采用了可变尾电流源设计,使得振荡信号在整个频率范围内幅度变化不大.结果表明,该压控振荡器总调节范围1.12～1.95GHz,功耗为6.5～19.1mW,采用0.35μm CMOS RF工艺设计版图面积为360μm×830μm,工作于1.1GHz和1.9GHz时,1MHz频偏处的单边带相位噪声分别为-122dBc/ Hz、-120dBc/ Hz.
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| 关 键 词： | LC压控振荡器 开关电容阵列 相位噪声 宽调谐范围 |
Design of a CMOS LC VCO with Wide Tuning Range and Low Phase Noise |
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| WEI Wei-wei,YU Hai-xun,LI Wei-min,WEN Wu.Design of a CMOS LC VCO with Wide Tuning Range and Low Phase Noise[J].Microelectronics & Computer,2010,27(9). |
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| Authors: | WEI Wei-wei YU Hai-xun LI Wei-min WEN Wu |
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