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| 高压VDMOS物理模型的发展与比较 | |
| 作者姓名： | 鲍嘉明 鞠家欣 杨兵 戚昊琛 张鉴 |
| 作者单位： | 北方工业大学信息工程学院微电子学系;合肥工业大学电子科学与应用物理学院; |
| 摘 要： | 本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点.可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于半导体基本物理方程,通常是在合理近似的条件下用解析方法求解,不同的模型有着不同的近似方法和近似条件.建立高压VDMOS物理模型的一个重要目的是以此为基础建立高压VDMOS等效电路模型,所... |
| 关 键 词： | 解析方法 漂移区 集成电路设计 沟道区 导通电阻 速度模型 等效电路模型 电阻率 高压 物理模型 |
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