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In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变性能的研究
引用本文:郭亚军,徐悟生,张建,徐玉恒.In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变性能的研究[J].硅酸盐学报,2004,32(4).
作者姓名:郭亚军  徐悟生  张建  徐玉恒
作者单位:哈尔滨工程大学化工学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理.

关 键 词:双掺铟和铁铌酸锂  光折变  波导基片  引上法晶体生长
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