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| KDP和DKDP电光晶体沿表层缺陷研究 | |
| 引用本文： | 学身.KDP和DKDP电光晶体沿表层缺陷研究[J].激光与红外,1981(7). |
| 作者姓名： | 学身 |
| 摘 要： | 对激光技术广泛使用的磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)电光晶体另件加工的基本要求是获得的抛光表面缺陷要最少。根据对晶体损伤提出的热电子机理得出,为了提高表面的抗光强度首先要改善加工,即在保持表面光学质量条件下尽可能完全消除由于机械加工而引起的损伤裂纹层。根据文献2]数据,KDP晶体经极粗的机械加工(切割)后,其〔001〕面方向损伤层深度不大于145微米。关于DKDP晶体的类似数据文献中未见到。作者研究了KDP和DKDP晶体用不同粒度金刚砂粉研磨后的凸凹和裂纹层,并讨论 |
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