等离子体化学气相沉积TiN

试验证明,利用非热平衡态的直流等离子体,可使 TiN 的化学气相沉积温度山普通 CVD 的1000℃左右降到500℃左右,膜的硬度达2000kg/mm~2(维氏)以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。