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| 液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性 | |
| 引用本文： | 余金中,石志文,鞠静丽,马国荣.液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的均匀性[J].半导体光电,1981(2). |
| 作者姓名： | 余金中 石志文 鞠静丽 马国荣 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (余金中，石志文，鞠静丽)，中国科学院半导体研究所(马国荣) |
| 摘 要： | 通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分析,并对制成的条形激光器的电学和光学特性进行了测量。本文给出了这些研究结果。 |
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