| 用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺 |
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| 引用本文： | 章定康 余山. 用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺[J]. 微电子学与计算机, 1993, 10(7): 40-42,47 |
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| 作者姓名： | 章定康 余山 |
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| 作者单位： | 航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所 陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600 |
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| 摘 要： | 本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。
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| 关 键 词： | 自对准 硅化钛 溅射 亚微米 CMOS |
Self-aligned Titanium Silicidc Tcchnolog for Submicron CMOS |
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| Zhang Dingkang,Yu Shan,Sun Younin,Huang Chang. Self-aligned Titanium Silicidc Tcchnolog for Submicron CMOS[J]. Microelectronics & Computer, 1993, 10(7): 40-42,47 |
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| Authors: | Zhang Dingkang Yu Shan Sun Younin Huang Chang |
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| Keywords: | Self-aligned Silicide titanium Sputter |
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