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基于CMOS工艺的低相位噪声LC压控振荡器
引用本文:张原,衣晓峰,洪志良.基于CMOS工艺的低相位噪声LC压控振荡器[J].微电子学,2006,36(2):205-208.
作者姓名:张原  衣晓峰  洪志良
作者单位:复旦大学,专用集成电路和系统国家重点实验室,上海,200433
摘    要:介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感,采用中芯国际(SMIC)0.35μm 1P6M混合信号CMOS工艺。测试结果表明,该压控振荡器的可调频率为3~3.55 GHz,在3.55 GHz中心频率附近的相位噪声达到-128 dBc/Hz(600 kHz),整个压控振荡器的工作电压为3.3 V,工作电流为13 mA。

关 键 词:电感电容压控振荡器  相位噪声  频率合成器
文章编号:1004-3365(2006)02-0205-04
收稿时间:2005-07-01
修稿时间:2005-07-012005-09-14

A Low Phase-Noise LC voltage Controlled Oscillator in CMOS Technology
ZHANG Yuan,YI Xiao-feng,HONG Zhi-liang.A Low Phase-Noise LC voltage Controlled Oscillator in CMOS Technology[J].Microelectronics,2006,36(2):205-208.
Authors:ZHANG Yuan  YI Xiao-feng  HONG Zhi-liang
Abstract:
Keywords:LC VCO  Phase noise  Frequency synthesizer
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