|
|||||
|
|
| 磺胺甲基异恶唑在Nafion修饰玻碳电极上的伏安测定 | |
| 引用本文： | 毕淑云,朴元哲.磺胺甲基异恶唑在Nafion修饰玻碳电极上的伏安测定[J].延边大学理工学报,1997,23(3):41-45. |
| 作者姓名： | 毕淑云 朴元哲 |
| 摘 要： | 本文用循环伏安法、差分脉冲溶出伏安法研究了磺胺甲基异恶唑（ＳＭＺ）在Ｎａｆｉｏｎ修饰玻碳电极上的伏安特性，并且测定了复方新诺明片剂中ＳＭＺ的含量发现在０．０２ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ底液中，ＳＭＺ在＋１．０５Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）处产生一灵敏而尖锐的氧化峰，峰电流在１×１０＾－６－４×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ范围内呈现良好的线性关系。其检测限为５×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ．Ｎａｆｉｏｎ修饰电极比未修饰的玻碳 |
| 关 键 词： | Nafion 伏安法 磺胺甲基异亚唑 玻碳电极 抗菌药 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |