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| 非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长分析 | |
| 作者姓名： | 杨琳 |
| 作者单位： | 厦门大学嘉庚学院,福建漳州 363105 |
| 摘 要： | 为解决以往侧向外延生长、侧壁横向外延生长等方法存在的缺陷问题,文章借鉴前人研究成果提出一种选用钛图形化r面蓝宝石衬底直接外延GaN的生长方法,先在衬底表面制备一层钛掩膜,再在孔洞内选择性外延GaN,由此改善GaN表面与晶体的质量,降低各向异性,并且成功制备出高质量、平整的a面GaN薄膜.通过观察SEM、RSMs与Ram... |
| 关 键 词： | 非极性GaN r面蓝宝石 成核过程 各向异性 |
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