首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源
引用本文:杨鹏,吴志明,吕坚,蒋亚东.一种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源[J].微电子学,2007,37(6):891-894,898.
作者姓名:杨鹏  吴志明  吕坚  蒋亚东
作者单位:电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
基金项目:国家自然科学基金;教育部跨世纪优秀人才培养计划
摘    要:设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,在-40~125℃范围内,温度系数为4.5 ppm/℃,电源抑制比达到60.6 dB。电路工作在1.5 V的电源电压下,最大消耗15μA电源电流。

关 键 词:带隙基准源  二阶补偿  温度补偿
文章编号:1004-3365(2007)06-0891-04
收稿时间:2007-05-25
修稿时间:2007-07-28

2nd-Order Compensated Low Voltage CMOS Bandgap Voltage Reference
YANG Peng,WU Zhi-ming,L Jian,JIANG Ya-dong.2nd-Order Compensated Low Voltage CMOS Bandgap Voltage Reference[J].Microelectronics,2007,37(6):891-894,898.
Authors:YANG Peng  WU Zhi-ming  L Jian  JIANG Ya-dong
Affiliation:YANG Peng,WU Zhi-ming,L(U) Jian,JIANG Ya-dong
Abstract:
Keywords:CMOS
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号