| 一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 侯德权,周莉,陈敏,肖璟博,张成彬,陈杰.一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源[J].微电子学,2019,49(1):17-21. |
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| 作者姓名： | 侯德权 周莉 陈敏 肖璟博 张成彬 陈杰 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院大学, 北京 100049,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61434004)；国家重大仪器设备专项资助项目(2013YQ31079903) |
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| 摘 要： | 设计了一种低功耗曲率补偿带隙基准电压源。利用亚阈值MOS管差分对,产生曲率补偿电流,对输出基准电压进行曲率补偿。采用低功耗运放来增强基准电压源的电源抑制能力,同时降低基准电压源的功耗。采用SMIC 0.18 μm 混合信号CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在1.5 V电源电压下,基准电压源的输出基准电压为1.224 V,在-40 ℃~125 ℃范围内的温度系数为1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,电源抑制比为-77.58 dB,消耗电流为225.54 nA。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 曲率补偿 低功耗 模拟集成电路 |
| 收稿时间： | 2018/2/27 0:00:00 |
A Low Power Curvature Compensated Bandgap Voltage Reference |
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| HOU Dequan,ZHOU Li,CHEN Min,XIAO Jingbo,ZHANG Chengbin and CHEN Jie.A Low Power Curvature Compensated Bandgap Voltage Reference[J].Microelectronics,2019,49(1):17-21. |
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| Authors: | HOU Dequan ZHOU Li CHEN Min XIAO Jingbo ZHANG Chengbin and CHEN Jie |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap voltage reference curvature compensated low power analog IC |
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