| （英）W波段InP HBT 宽带高功率压控振荡器 |
| |
| 引用本文： | 王溪,姚鸿飞,苏永波,丁武昌,阿瑟夫,丁芃,童志航,金智.（英）W波段InP HBT 宽带高功率压控振荡器[J].红外与毫米波学报,2019,38(1):27-31. |
| |
| 作者姓名： | 王溪 姚鸿飞 苏永波 丁武昌 阿瑟夫 丁芃 童志航 金智 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
| |
| 摘 要： | 本文介绍了一款具有较高输出功率和宽调谐频率范围的基波压控振荡器单片集成电路。其制作工艺为fT =170GHz,fmax =250GHz的0.8um InP DHBT工艺。电路核心部分采用了平衡式考毕兹振荡器拓扑,并在后面添加了一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率。DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐。芯片测量结果表明,VCO的频率调谐范围为81- 97.3GHz,相对带宽为18.3 %。在调谐频率范围内最大输出功率为10.5 dBm,输出功率起伏在3.5 dB以内。在该VCO的最大调谐频率97.3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz @1MHz。在目前所报道的InP HBT基VCO MMIC中,本文在如此宽的频率调谐范围内实现了最高的输出功率。
|
| 关 键 词： | InP DHBT 压控振荡器 宽调谐范围 高输出功率 |
| 收稿时间： | 2018/4/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/6/21 0:00:00 |
Fundamental W-band In P DHBT-based voltage-controlled oscillator with wide tuning range and high output power |
| |
| WANG Xi,YAO Hong-Fei,SU Yong-Bo,DING Wu-Chang,MUHAMMAD Asif,DING Peng,TONG Zhi-Hang and JIN Zhi.Fundamental W-band In P DHBT-based voltage-controlled oscillator with wide tuning range and high output power[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2019,38(1):27-31. |
| |
| Authors: | WANG Xi YAO Hong-Fei SU Yong-Bo DING Wu-Chang MUHAMMAD Asif DING Peng TONG Zhi-Hang and JIN Zhi |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InP DHBT voltage-controlled oscillator wide tuning range high output power |
|
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
