| 基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 程知群张志维刘国华孙昊蔡勇.基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计[J].微波学报,2019,35(2):34-37. |
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| 作者姓名： | 程知群张志维刘国华孙昊蔡勇 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018;
2. 中国电子科技集团公司第四十一研究所电子信息测试技术安徽省重点实验室,蚌埠233010;
3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生学研究所纳米器件与应用重点实验室,苏州215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61871169);浙江省自然科学基金(LZ16F010001) |
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| 摘 要： | 基于GaN HEMT 提出了一种3.5GHz 频率的高效率混合EF 类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5GHz 频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3 ～ 3.8GHz 频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3dB。
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| 关 键 词： | 高效率 GaN HEMT 补偿输出电容 EF 类功率放大器 谐波控制 |
Design of Hybrid EF Class Power Amplifier Based on GaN HEMT |
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| CHENG Zhi-qunZHANG Zhi-wei LIU Guo-hua SUN HaoCAI Yong.Design of Hybrid EF Class Power Amplifier Based on GaN HEMT[J].Journal of Microwaves,2019,35(2):34-37. |
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| Authors: | CHENG Zhi-qunZHANG Zhi-wei LIU Guo-hua SUN HaoCAI Yong |
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| Affiliation: | 1. Key Laboratory of RF Circuit and System,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018, China;
2. Key Laboratory of Electronic Measurement Technology, Anhui Province, The 41 st Institute of CETC,Bengbu 233010, China;
3. Key Laboratory of Nano-devices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high efficiency GaN HEMT compensated output capacitor EF class power amplifier harmonic control |
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