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| SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能 | |
| 引用本文： | 谷雨,张玉旗,庞世发,陈明良. SiC纳米材料的形貌调控及其场发射阴极性能[J]. 化工设计通讯, 2019, 0(6) |
| 作者姓名： | 谷雨 张玉旗 庞世发 陈明良 |
| 作者单位： | 青岛科技大学机电工程学院 |
| 摘 要： | SiC一维纳米材料,具有良好的电子迁移率、稳定性和可制备性,是下一代重要的场发射阴极材料。通过对近年来SiC一维材料制备的研究,发现SiC的主要结构是纳米线/纳米棒、纳米管和纳米阵列,同时提高SiC场发射性能主要通过三种方式:降低微结构顶端的直径、增加发射点的密度、加入元素进行掺杂。 |
| 关 键 词： | 场发射 SiC 纳米 一维材料 |
Morphology Control and Field Emission Cathode Properties of SiC Nanomaterials |
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