| 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器 |
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| 引用本文： | 成彩晶,丁嘉欣,张向锋,赵鸿燕,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义.背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器[J].半导体学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 成彩晶 丁嘉欣 张向锋 赵鸿燕 鲁正雄 司俊杰 孙维国 桑立雯 张国义 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院;北京大学物理系;北京大学物理系 洛阳; |
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| 摘 要： | 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
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| 关 键 词： | 太阳光盲紫外探测器理想因子 串联电阻 外量子效率 探测率 |
A Back-Illuminated Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N Heterojunction p-i-n Solar-Blind UV Photodetector |
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| Cheng Caijing,Ding Jiaxin,Zhang Xiangfeng,Zhao Hongyan,Lu Zhengxiong,Si Junjie,Sun Weiguo,Sang Liwen,Zhang Guoyi.A Back-Illuminated Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N Heterojunction p-i-n Solar-Blind UV Photodetector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(3). |
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| Authors: | Cheng Caijing Ding Jiaxin Zhang Xiangfeng Zhao Hongyan Lu Zhengxiong Si Junjie Sun Weiguo Sang Liwen Zhang Guoyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar-blind UV photodetector ideality factor series resistance photoresponse detectivity |
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