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Accurate RF modeling of nanoscale MOSFET using BSIM6 including low levels of inversion
Authors:M.-A. Chalkiadaki  C.C. Enz
Affiliation:École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015, Switzerland
Abstract:
Keywords:Compact modeling   BSIM6   Low-power   RF   RF noise   Advanced CMOS   Nanoscale bulk MOSFET   Low levels of inversion
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