| ZnO多晶薄膜绒面结构及陷光特性分析 |
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| 引用本文： | 林小园,黄茜,张德坤,牟村,赵颖,张存善,张晓丹. ZnO多晶薄膜绒面结构及陷光特性分析[J]. 光电子．激光, 2013, 0(3): 523-529 |
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| 作者姓名： | 林小园 黄茜 张德坤 牟村 赵颖 张存善 张晓丹 |
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| 作者单位： | 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;河北工业大学 信 息工程学院,天津 300130;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071;河北工业大学 信 息工程学院,天津 300130;南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00706)、国家高技术研究发展计划(2011AA050503)、教育部重点实验室开放基金(2011KFKT06)和中央高校基本科研业务费专项资金(65011981)资助项目 (1.南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室, 光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071; 2.河北工业大学 信息工程学院,天津 300130) |
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| 摘 要： | 针对当前薄膜太阳电池对光管理的迫切需求,采 用磁控溅射及后腐蚀技术制备获 得了高性能绒 面铝掺杂氧化锌(AZO,ZnO:Al)前电极。深入分析了ZnO多晶薄膜厚度及腐蚀时间对绒面 结构及陷光特性的影响。研究 结果表明,随多晶薄膜厚度的增加,晶粒尺寸增大,腐蚀后获得的弹坑状表面结构的粒径亦 随之增大,绒 度增大；随后腐蚀时间的增加,弹坑状粒径及绒度均具有先增大而后趋于饱和的趋势。当沉 积ZnO多晶 薄膜初始厚达2μm时,获得的薄膜电阻率小于3×10－4 Ω· cm,经180s稀HCl(0.5%)腐蚀后,绒面 ZnO 的均方根粗糙度(RMS)达143nm, 400～ 1100nm平均透过率达81.4%, 在500nm处绒度为84.3%nm处绒度可达73.8%,方块电阻小于5Ω/□,满足了硅基 薄膜叠层电池对前电极的光电性能需求。
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| 关 键 词： | 绒面掺铝氧化锌(AZO) 绒度 散射特性 薄膜厚度 湿法刻蚀 |
| 收稿时间： | 2012-08-24 |
| 修稿时间： | 2012-11-01 |
Surface morphology and light trapping properties of textured ZnO films |
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| LIN Xiao-yuan,HUANG Qian,ZHANG De-kun,MU Cun,ZHAO Ying,ZHANG Cun-shan and ZHANG Xiao-dan. Surface morphology and light trapping properties of textured ZnO films[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2013, 0(3): 523-529 |
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| Authors: | LIN Xiao-yuan HUANG Qian ZHANG De-kun MU Cun ZHAO Ying ZHANG Cun-shan ZHANG Xiao-dan |
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| Affiliation: | Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Key Laboratory of Photo- electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Optoe lectronic Information Science and Technology,Ministry of Education of China,Tian jin 300071,China;Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Key Laboratory of Photo- electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Optoe lectronic Information Science and Technology,Ministry of Education of China,Tian jin 300071,China;Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Key Laboratory of Photo- electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Optoe lectronic Information Science and Technology,Ministry of Education of China,Tian jin 300071,China;School of Information Engineering,Hebei University of Techno logy,Tianjin 300130,China;Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Key Laboratory of Photo- electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Optoe lectronic Information Science and Technology,Ministry of Education of China,Tian jin 300071,China;School of Information Engineering,Hebei University of Techno logy,Tianjin 300130,China;Institute of Photo Electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai University,Key Laboratory of Photo- electronic Thin Film Devices and Technique of Tianjin,Key Laboratory of Optoe lectronic Information Science and Technology,Ministry of Education of China,Tian jin 300071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | textured ZnO:Al (AZO) haze scattering properties film thickness wet etching |
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