| MgF2/Se薄膜封装层对OLED性能及寿命的影响 |
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| 引用本文： | 高淑雅,吕磊,孔祥朝,陈维铅,张方辉. MgF2/Se薄膜封装层对OLED性能及寿命的影响[J]. 光电子．激光, 2013, 0(3): 535-538 |
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| 作者姓名： | 高淑雅 吕磊 孔祥朝 陈维铅 张方辉 |
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| 作者单位： | 陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021;陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021;陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021;陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021;陕西科技大学 电子与 信息工程学院,陕西 西安 710021 |
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| 基金项目： | 陕西省专利产业化(2005ZZ-04)和陕西省教育厅产业化(06JC23)资助项目 (1.陕西科技大学 材料科学与工程学院,陕西 西安 710021； 2.陕西科技大学 电子与信息工程学院,陕西 西安 710021) |
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| 摘 要： | 有机电致发光器件(OLEDs)在使用过程中,易受到 空气中水汽、氧气及其它污染物的影响从而导致其工作寿命降低。本文将具有良好光透过率 和热稳定性的MgF2薄膜与在水汽和氧气中具有良好稳定性的Se薄膜通过真空蒸镀制成复 合薄膜作为OLEDs的封装层,以达到提高器件使用寿命的目的。器件各功能层蒸镀完成后, 保持真空度(3×10－4 Pa)不变,在阴极表面蒸镀MgF2/Se薄 膜封装层。比较 了绿光OLED器件(器件结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3:C-545T/Alq 3/LiF/Al)封装前后的亮度-电压-电流密度特性、电致发光光谱及寿命。研究 发现,经过MgF2/Se封装后,器件的电流密度-电压特性、亮度和发光光谱几乎没 有受到影响,二者的光谱峰都在528 nm处,色坐标(CIE)分别为(0.3555,0.6131)和(0.3560,0.6104),只是起亮电压由3V变为4V；器件的寿命由原来的175h变为300h,提高了1.7倍 。因此,MgF2/Se薄膜是一种有效的OLEDs无机薄膜封装层。
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| 关 键 词： | MgF2/Se 薄膜封装 寿命 |
| 收稿时间： | 2012-09-04 |
| 修稿时间： | 2012-09-25 |
Influence of MgF2/Se film encapsulation layer on performance and lifetime of O LED |
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| GAO Shu-y,L Lei,KONG Xiang-zhao,C HEN Wei-qi an and ZHANG Fang-hui. Influence of MgF2/Se film encapsulation layer on performance and lifetime of O LED[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2013, 0(3): 535-538 |
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| Authors: | GAO Shu-y L Lei KONG Xiang-zhao C HEN Wei-qi an ZHANG Fang-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MgF2/Se thin film encapsulation lifetime |
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