| 单电子器件 |
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| 引用本文： | 赵正平,郭荣辉. 单电子器件[J]. 微纳电子技术, 2002, 39(1): 17-21 |
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| 作者姓名： | 赵正平 郭荣辉 |
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| 作者单位： | 电子13所,河北石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 综述了单电子器件的研究进展,包括单电子器件的简要历史、研究现状、基本理论、工作性能及制作工艺,并且深入讨论了本领域今后的发展方向。
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| 关 键 词： | 单电子器件 单电子晶体管 单电子内存 库仑阻塞 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)01-0017-05 |
| 修稿时间： | 2001-11-16 |
Single-electron device |
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| ZHAO Zheng-ping,GUO Rong-hui. Single-electron device[J]. Micronanoelectronic Technology, 2002, 39(1): 17-21 |
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| Authors: | ZHAO Zheng-ping GUO Rong-hui |
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| Abstract: | In this paper,new progress in research on single-electron device(SED)is reviewed,including its history,theory,process and performance.Additionally,the future development in SED is discussed in details. |
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| Keywords: | single-electron device single-electron transistor single-electron memory Coulomb blockade |
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