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| MOS硅外延技术 | |
| 引用本文： | 孙膺九.MOS硅外延技术[J].稀有金属,1986(1). |
| 作者姓名： | 孙膺九 |
| 作者单位： | 电子工业部第46研究所 |
| 摘 要： | 本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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