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E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响
作者姓名:孙纪元  周建伟  罗翀  田雨暄  李丁杰  杨云点  盛媛慧
作者单位:1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室;3. 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
基金项目:国家自然科学基金(62074049);
摘    要:针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓蚀剂。通过去除速率、表面粗糙度和表面形貌等的实验结果研究了E1310P和FMEE协同作用对CMP过程中表面质量的影响。通过表面张力、电化学性能、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT)揭示了E1310P和FMEE的协同吸附行为及其机理。结果表明,E1310P可以吸附在Cu的表面,降低Cu的去除速率;FMEE的加入能有效屏蔽E1310P离子头基间的电性排斥作用,使更多的E1310P吸附在Cu的表面,在协同作用下形成了更致密的抑制膜,使得CMP抛光性能得以提升。

关 键 词:化学机械抛光(CMP)  去除速率  协同吸附  表面质量  密度泛函理论(DFT)
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