CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展 |
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作者姓名: | 梁斌 高宝红 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 |
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作者单位: | 1. 河北工业大学电子信息工程学院;2. 天津市电子材料与器件重点实验室 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61704046); |
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摘 要: | 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。
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关 键 词: | 化学机械抛光(CMP) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整 |
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