用挖补圆盘法检测金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触性能 |
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引用本文: | 华文玉,陈存礼.用挖补圆盘法检测金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触性能[J].电子学报,1997,25(8):33-36. |
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作者姓名: | 华文玉 陈存礼 |
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作者单位: | [1]南京理工大学应用物理系 [2]南京大学物理系 |
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摘 要: | 在平面型器件和各种新型微电子器件中,金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触质量直接影响着器件的性能。本文提出了一种挖初圆盘法来检测它们的欧姆接触性能。由电势叠加原理导出了理论公式。此法样品制备简单,无需台面绝缘,由于接触结构的特点,自然免除了侧向电流聚集效应,从而提高了精度。若将接触结构稍加发展,则更为简捷实用。
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关 键 词: | 金属 半导体 欧姆接触 微电子器件 |
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