高纯外延N型砷化镓中的X_(1C)导带最小点

对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X_(1C)-Γ_(1C)子带能隙确定为0.38±0.01电子伏,X_(1C)态密度有效质量是0.85±0.10m_e。结果还指出,可能有三个而不是六个 X_(1C)最小点,它们位在区域边缘。