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嵌入式MaskROM的设计研究
引用本文:方利, 戴庆元.嵌入式MaskROM的设计研究[J].电子器件,2009,32(1).
作者姓名:方利  戴庆元
作者单位:上海交通大学微纳科学技术研究院,上海,200240
摘    要:为满足数字多媒体技术的应用需要,设计了一种1 M×16 bit的嵌入式掩膜只读存储器,研究了各功能模块的原理、性能优化方案以及大容量、高速、低功耗的高性能嵌入式Mask-ROM设计方法.该型Mask-ROM采用0.18 μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,访问时间约为30 ns(33 MHz),单位功耗为1.09 mW/MHz.

关 键 词:专用集成电路  掩膜只读存储器  嵌入式

Research and Design of Embedded MaskRom
FANG Li,DAI Qing-yuan.Research and Design of Embedded MaskRom[J].Journal of Electron Devices,2009,32(1).
Authors:FANG Li  DAI Qing-yuan
Affiliation:Research Institute of Micro Nano Science and Technology;Shanghai Jiao Tong University.;Shanghai 200240;China
Abstract:
Keywords:CMOS
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