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| 金硅面垒型半导体探测器在α能谱测量中的应用研究 | |
| 引用本文： | 丁卫撑,王义,王敏,黄洪全.金硅面垒型半导体探测器在α能谱测量中的应用研究[J].核电子学与探测技术,2012,32(7). |
| 作者姓名： | 丁卫撑 王义 王敏 黄洪全 |
| 作者单位： | 1. 成都理工大学地学核技术四川省重点实验室,成都610059;清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京100084 2. 清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京,100084 3. 成都理工大学地学核技术四川省重点实验室,成都,610059 |
| 摘 要： | 针对α能谱测量需要探测器能量分辨率高、性能稳定及探测效率高等要求,选用金硅面垒型半导体探测器进行α能谱测量.论述了金硅面探测器的主要性能指标及影响因素,同时针对探测器输出信号的特点以及α能谱测量要求,从理论上分析了前置放大器的类型及设计时需要注意的事项,并设计了一种实用低噪声电荷灵敏前置放大器.实测α能谱数据表明,性能满足α能谱测量要求. |
| 关 键 词： | 探测器 α能谱 放大器 噪声 |
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