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杂志ISSN号
弹簧式压接IGBT模块内部应力及温度仿真分析
作者姓名:
肖凯
邵震
陈潜
王振
严喜林
刘平
卢继武
作者单位:
1. 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院;2. 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司;3. 湖南大学电气与信息工程学院
摘 要:
功率半导体器件的寿命与其内部的热力情况直接相关,而接触热阻严重影响压接式IGBT模块内部的温度分布,因此对于接触热阻的精确模拟尤其重要。本文对弹簧式压接IGBT进行了有限元仿真建模,基于蒙特卡洛方法来模拟接触热阻,详细分析了IGBT芯片表面温度和力的分布,提出了施加在单个芯片上的适当压力。对比了子模组中不同芯片表面的温度和应力大小,分析了多芯片子模组中极易首先发生失效的芯片。本研究结果可为弹簧式压接IGBT模块在实际生产制造和提高寿命方面提供理论参考。
关 键 词:
StakPak
压接型IGBT
有限元仿真
芯片失效
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