基于滤波器设计方法的GaN-on-Si毫米波单刀双掷开关

基于滤波器的设计方法，实现了一款适用于毫米波通信的宽频带单刀双掷（SPDT）开关。为了实现宽频带和低插入损耗，采用100 nm GaN-on-Si HEMT器件及行波式开关设计方法，同时采用四枝节的结构，实现对射频信号的全反射，以此获得更高的隔离度。在0 V和-15 V的栅偏置电压下，在室温环境中测试的结果表明：在30～44 GHz频带内，SPDT开关具有良好的回波损耗，其插入损耗低于1.5 dB，隔离度高于34 dB，并且在36 GHz下的输入1 dB功率压缩点优于39.2 dBm。芯片面积为1.7 mm×1.2 mm。