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| SnO2压敏电阻的非线性电学行为与MnO2添加的关系 | |
| 引用本文： | 吴宇航,赵洪峰,范少华,杨兴,谢清云.SnO2压敏电阻的非线性电学行为与MnO2添加的关系[J].电瓷避雷器,2023(3):136-140. |
| 作者姓名： | 吴宇航 赵洪峰 范少华 杨兴 谢清云 |
| 作者单位： | 1. 新疆大学电气工程学院电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室;2. 西电避雷器有限责任公司 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号：51762038)~~； |
| 摘 要： | 用混合氧化物法制备掺杂CoO,Ta2O5,MnO2和Cr2O5的SnO2压敏陶瓷。研究了MnO2掺杂对SnO2微观结构和电学性能的影响。通过阿伦尼乌斯图揭示其在低频与高频中产生了不同的活化能，这些活化能与氧在晶界面的吸附和反应有关。我们发现MnO2提升了压敏电阻的非线性，在晶界区产生了O′和O″的吸附位点。O′和O″缺陷是晶界界面形成势垒的真正原因。 |
| 关 键 词： | SnO2压敏陶瓷 非线性 肖特基势垒 阿伦尼乌斯图 |