In2O3掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响

提出了掺杂In₂O₃对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In₂O₃的用量，同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现，随着In₂O₃含量的增加，低压ZnO压敏电阻的电气性能得到提升，但是过量的In₂O₃却会使其残压比和正反极性增加。I-3电阻片具有最佳的电学性能，其电位梯度为115.5 V·mm^-1,漏电流为1.34μA,非线性系数α为68.1,以及残压比为2.20。其耐8/20μs、10 kA浪涌冲击正面变化变化率为-0.2%,反面变化率-4.8%。